नाइओबियम ऑक्साइड लक्ष्य

वर्तमान में, नाइओबियम ऑक्साइड लक्ष्य की तैयारी मुख्य रूप से एक गर्म दबाने वाली सिंटरिंग प्रक्रिया को अपनाती है, लेकिन खराब कॉम्पैक्टनेस और चालकता की कमियों को आम तौर पर तैयार किया जाता है, जो लक्ष्य सामग्री के लिए डीसी मैग्नेट्रोन स्पटरिंग की आवश्यकताओं को पूरा करना मुश्किल है। इसके अलावा, गर्म दबाने वाली सिंटरिंग प्रक्रिया में एक लंबा सिंटरिंग समय, उच्च ऊर्जा खपत और उच्च लागत होती है। इसके आधार पर, कम ऊर्जा खपत, कम लागत, अच्छी कॉम्पैक्टनेस और चालकता, और इसकी तैयारी विधि के साथ एक निनियोबियम ऑक्साइड लक्ष्य प्रदान करना आवश्यक है।

निम्नलिखित चरण शामिल हैं:

नाइओबियम पेंटोक्साइड पाउडर और नाइओबियम पाउडर को समान रूप से मिश्रित किया गया था, और एक प्रीट्रीटेड पाउडर प्राप्त करने के लिए ऑक्सीजन वातावरण या वायु वातावरण के तहत 0.5 ~ 3 घंटे के लिए 6 0 0 ~ 800 डिग्री पर कैलक्लाइंड किया गया था;

पाउडर को एक नाइओबियम ऑक्साइड लक्ष्य प्राप्त करने के लिए 0.5 ~ 1 घंटे के लिए एक सुरक्षात्मक गैस वातावरण के तहत 900~1200 डिग्री पर ग्रेफाइट मोल्ड में पाप किया जाता है।

उपरोक्त नाइओबियम ऑक्साइड लक्ष्य की तैयारी विधि, नाइओबियम पेंटोक्साइड पाउडर और नाइओबियम पाउडर के बाद, समान रूप से मिश्रित होती है, ऑक्सीकरण कैल्सीनेशन उपचार किया जाता है, और नाइओबियम पाउडर की सतह को एक सक्रिय ऑक्साइड फिल्म बाधा बनाने के लिए ऑक्सीकरण किया जाता है, इसलिए के रूप में नाइओबियम पेंटोक्साइड पाउडर को फैलाने के लिए, नाइओबियम पेंटोक्साइड पाउडर के स्थानीय सिंटरिंग के कारण होने वाले ढेर की घटना से बचें, और प्राप्त प्रीट्रीटेड पाउडर ढेर नहीं है, गैर-बंधुआ है, इसमें अच्छी तरलता और केंद्रित कण आकार वितरण है। उनमें से, नाइओबियम पेंटोक्साइड पाउडर में एक उच्च विशिष्ट सतह क्षेत्र और उच्च गतिविधि होती है, और इसका कण आकार छोटा होता है, जो बदले में गर्म दबाने वाले सिंटरिंग के तापमान को कम करता है और गर्म प्रेस सिंटरिंग के समय को कम करता है, जिससे ऊर्जा की खपत कम होती है और हॉट प्रेस सिंटरिंग की लागत, उत्पादन चक्र को छोटा करना और हॉट प्रेस सिंटरिंग द्वारा प्राप्त नाइओबियम ऑक्साइड लक्ष्य के घनत्व की डिग्री को प्रभावी ढंग से सुधारना।

उपरोक्त तैयारी विधि द्वारा तैयार किए गए नाइओबियम ऑक्साइड लक्ष्य का रासायनिक सूत्र Nb2Ox है, 4.0 x से कम या उसके बराबर 4.9 से कम या उसके बराबर, लक्ष्य में उच्च कॉम्पैक्टनेस, कम सरंध्रता और एक सपाट सतह है गड्ढों के बिना, और इसका घनत्व 4.57g/cm3 जितना अधिक है। इसकी चालकता अधिक है, और प्रतिरोधकता 2×10-3~8×10-3Ω·cm है। उनमें से, सापेक्ष घनत्व आर्किमिडीज जल निकासी विधि ठोस घनत्व डिटेक्टर द्वारा सैद्धांतिक घनत्व द्वारा मापा गया घनत्व के अनुपात को संदर्भित करता है, और सापेक्ष घनत्व का परिमाण सामग्री के घनत्व की डिग्री को इंगित करता है, और सापेक्ष घनत्व जितना अधिक होता है, सामग्री के घनत्व की डिग्री जितनी अधिक होगी।

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