
प्लानर नाइओबियम लक्ष्य
स्पटरिंग लक्ष्यों के लिए सजातीय संरचना, उपयुक्त कण आकार और विशिष्ट क्रिस्टलोग्राफिक अभिविन्यास की आवश्यकता होती है, और इन स्पटरिंग लक्ष्यों की उच्च आवश्यकताओं का उद्देश्य पूरे सब्सट्रेट पर एक समान फिल्म जमाव दर प्राप्त करना है। नाइओबियम लक्ष्य मुख्य रूप से सतह इंजीनियरिंग सामग्री, जैसे समुद्री, रासायनिक और लिक्विड क्रिस्टल डिस्प्ले, और कोटिंग उद्योग जैसे गर्मी प्रतिरोध, संक्षारण प्रतिरोध और उच्च चालकता में उपयोग किए जाते हैं। एक फ्लैट नाइओबियम लक्ष्य एक नाइओबियम लक्ष्य होता है जिसका व्यास 150 मिमी से अधिक या उसके बराबर होता है, जिसे आमतौर पर एक नंगे लक्ष्य कहा जाता है, और उपयोगकर्ता पहले इसका उपयोग करते समय तांबे या एल्यूमीनियम के पीछे के लक्ष्य के साथ वेल्ड करता है, और फिर नाइओबियम परमाणुओं को जमा करने के लिए स्पटर करता है। स्पटरिंग कोटिंग प्राप्त करने के लिए सब्सट्रेट सामग्री पर। कोटिंग की एकरूपता प्राप्त करने के लिए, प्लानर नाइओबियम लक्ष्य को नाइओबियम पिंड कास्टिंग क्रिस्टल को कुचलने की आवश्यकता होती है ताकि यह सुनिश्चित हो सके कि नाइओबियम लक्ष्य की आंतरिक संरचना पूरी तरह से पुनर्क्रिस्टलीकृत है, अनाज का आकार 100 μπι से कम है, और यह एक समान है।
हमारी कंपनी एक नई तैयारी विधि प्रदान करती है, जिसमें निम्नलिखित चरण शामिल हैं: नाइओबियम सिल्लियां रेडियल रूप से जाली और चौकोर रूप से लंबी होती हैं, जाली नाइओबियम सिल्लियों को चुना जाता है, और मसालेदार नाइओबियम सिल्लियों को गर्मी का इलाज किया जाता है; फिर नाइओबियम सिल्लियों को चपटा और जाली बनाया जाता है, जाली नाइओबियम सिल्लियों को चुना जाता है, और मसालेदार नाइओबियम सिल्लियों को गर्मी का इलाज किया जाता है; अंत में, एक तलीय नाइओबियम लक्ष्य प्राप्त करने के लिए नाइओबियम सिल्लियों को लुढ़काया जाता है।
नाइओबियम लक्ष्य तैयार करने की प्रक्रिया में, फोर्जिंग प्रक्रिया रेडियल स्क्वायर, अक्षीय लम्बाई, और चपटे फोर्जिंग का एक संयोजन है, ताकि नाइओबियम पिंड में स्तंभ क्रिस्टल क्षेत्र, केंद्रीय समान क्रिस्टल क्षेत्र, और किनारे के आसपास के क्षेत्र नाइओबियम पिंड, रिक्त के मध्य भाग का धातु प्रवाह बढ़ जाता है, केंद्रीय संरचना की असमानता में काफी सुधार होता है, और मूल कास्ट मोटे क्रिस्टल संरचना बहु-दिशात्मक बल के तहत कई दिशाओं में पूरी तरह से टूट जाती है, जिससे नाइओबियम पिंड को बढ़ावा मिलता है एक अपेक्षाकृत समान अनाज संरचना प्राप्त करने के लिए। यह हानिकारक ऊतकों जैसे "क्रिस्टल बैंड" ऊतक और मोटे क्रिस्टलीय ऊतक की उपस्थिति से बचाता है जो प्रभावी विखंडन के बिना मध्य भाग द्वारा पीछे छोड़ दिया जाता है; रोलिंग चरण में, नाइओबियम सिल्लियों की विकृति अधिक समान होती है, और प्रसंस्करण के बाद, मध्यवर्ती गर्मी उपचार प्रक्रिया के साथ, नाइओबियम लक्ष्य सामग्री की संरचना अधिक से अधिक सजातीय और परिष्कृत होती है, और अंत में, एक समान क्रिस्टलीय संरचना प्लानर नाइओबियम लक्ष्य एक समान संरचना और 100 माइक्रोन से कम के दाने के आकार के साथ प्राप्त किया जाता है। इसलिए, इस तैयारी विधि द्वारा एक समान ऊतक और 100 μπι से कम के दाने के आकार के साथ एक समान क्रिस्टल संरचना प्राप्त की गई थी।

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